반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

Dry Etching(건식 식각) = Plasma Etching(플라즈마 식각)장점 불량이 적음=수율이 높음. 비등방성 식각 가능-> 미세공정 적합. CD가 상대적으로 작고 조절 용이. (Etch Bias가 작음) 단점 화학 가스의 고에너지 이온을 타격하며 깎는 방식으로 기판 손상 누적. Selectivity가 낮음. 비쌈. 공정이 복잡함고진공 상태- Throughput이 낮음 (Batch구조가 아니기 때문). Plasma: 전자, 중성원자. Radical(반응성 물질, 중성), 이온 등으로 이루어진 이온화 기체. 제4의 상태라고도 불림. 고온 또는 전기장으로 형성. 전체로 보면 중성, 부분적으로 전기적 성질을 가지는 준중성 상태(Quasi-neutral), Gas는 7족원소로 이루어진 CF4등 이용 +..

Wet Etching(습식 식각)장점: 화학 물질(Etchant)을 이용해 깎는 방식으로 생산성 매우 높음, Selectivity가 우수. 저렴. 일괄처리(Batch, 대량처리)가 가능. Diffusion을 이용하기 때문에 표면이 매끄러움. 단점: 등방성 식각으로 컨트롤이 어려움. Undercut이 쉽게 발생해 미세공정에 부적합. CD 조정 어려움. Uniformity가 낮음(공정 조건 최적화 필요.) 용액을 사용하다 보니 Wafer 오염 발생 가능성. 특징: 열적 산화공정이나 Epitaxial 성장 전 Cleaning 공정에서 핵심적으로 사용. 식각 경사면이 높을수록, 즉, 수직일수록 원하는 Profile에 가깝게 식각 가능. Agitation(교반): Uniformity와 Etch Rate를 높이기 ..

Etching Progress Photolithography 공정을 통해 만들어진 PR Pattern을 바탕으로 PR이 없는 하부 기판(주로 산화막)을 선택적으로 깎아내는 공정. Photo와 Etching을 반복해 Pattern을 적층. Cleaning 및 Ashing 공정 용이나 Metallization 공정을 위해 식각하기도 함 (Dielectric).진행 전 Scum을 제거하기 위해 Ashing(Descum) 진행(O2이용) 1.   Etching 용어-Etch Bias: Photo 공정을 통해 형성된 Pattern(Wb)과 Etching 공정을 통해 형성된 Pattern(Wa)의 차이=선폭(CD Size) 변화량. Etch Bias=Wb-Wa, Mask의 패턴과 Wafer위의 패턴을 비교해 잃어버..

초미세공정이 되면서 멀티 패터닝 공정으로도 더이상 효율이 나오지 않음 => 새로운 광원의 활용!!! -EUV: 13.5nm 1. 장점: Scaling Down의 끝판왕- 단파장의 고에너지 광원. 초미세 공정이 가능 (10nm미만 공정 가능). 기존 공정보다 적은 횟수의 공정 단계로 패터닝이 가능- QPT 대체 기술. Mask 제작 비용 감소2. 단점: 빛 흡수 이슈 해결 필요(주위 설비, Mask, Lens, 산소와 이산화탄소 등에 흡수) ->진공 상태, 빛의 효율이 낮아 생산성 낮음, 양산 어려움. 공정 난이도가 매우 높고, 비싸고, 느림. 3. 특징: EUV Mask는 일반 Mask와 달리 반사형 렌즈와 거울 이용. 반사율을 위한 다층 구성. (반사각 중요!), 4. 광원 형성플라즈마를 발생시켜 광원..

이전단계: https://programmer-coldbrew.tistory.com/15 [포토 공정] 포토공정. 패턴 형성 첫번째 과정 - HMDS 도포, PR Coating, Soft BakePhotolithography Progress +++ 공정 조건: Clean Room(100/ft3 이하의 청결도) + Yellow Light(영향이 제일 적은 광원) 1.   HMDS 도포(Wafer Priming) (HMDS-hexa methy ldi sil azane: 6 CH3 2 Si NH)친수성인 Wafer를 소수성으로 바programmer-coldbrew.tistory.comhttps://programmer-coldbrew.tistory.com/16 [포토 공정] 포토공정. 패턴 형성 첫번째 과정 - ..

이전 단계: https://programmer-coldbrew.tistory.com/15 [포토 공정] 포토공정. 패턴 형성 첫번째 과정 - HMDS 도포, PR Coating, Soft BakePhotolithography Progress +++ 공정 조건: Clean Room(100/ft3 이하의 청결도) + Yellow Light(영향이 제일 적은 광원) 1.   HMDS 도포(Wafer Priming) (HMDS-hexa methy ldi sil azane: 6 CH3 2 Si NH)친수성인 Wafer를 소수성으로 바programmer-coldbrew.tistory.com 4.   Alignment & ExposureAlignment: Mask의 위치를 정확하게 두는 과정Alignment Erro..

Photolithography Progress +++ 공정 조건: Clean Room(100/ft3 이하의 청결도) + Yellow Light(영향이 제일 적은 광원) 1.   HMDS 도포(Wafer Priming) (HMDS-hexa methy ldi sil azane: 6 CH3 2 Si NH)친수성인 Wafer를 소수성으로 바꾸기 위한 과정(친수성 Contact Angle > 소수성)기체상태인 HMDS를 N2 가스를 이용해 도포. 접착력 증가, 부족할 시 Pattern 붕괴 가능성. +BARC(Bottom Anti-Reflective Coating): Photolithography 공정 전에 진행. (주로 SiON)Profile 상 단차가 존재할 때 빛의 경로와 양이 달라져 Standing Wav..

4 Point Probe(Blanket Wafer): 간격이 일정한 Probe tip 4개를 Wafer에 Contact해 일정 전류를 Forcing 해 Voltage Drop을 측정 (Rs)소자의 비저항 값은 고정이기 때문에 t값(두께)를 알 수 있음Thermo WaveImplant된 영역은 Damage 때문에 반사율이 차이가 생기기 때문에 이를 측정함. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) = Surface Negative Ionization 양이온이 부딪치기 때문에 음 성질이 튀어나옴, 매우 정밀, Ultra High Vacuum 필요.Depth Dopant Profile, Dopant Concentration 측정, 성분 분석, ppb단위까지 측정가능. Primary..

Annealing에서 발생하는 Defect+TED (Transient Enhanced Diffusion)Furnace Annealing을 통해 불필요 Dopant Diffusion과 Defect Cluster 형성, 원하지 않는 이온 분포로 Activation감소, 수율 저하, 집적도 악영향저온 공정은 손상을 회복하는데 시간이 오래 소요. Si의 점 결함에 의해 Dopant가 과도하게 확산되어서 Junction Depth가 깊어짐 (Leakage). – RTA, Laser 등 더 높은 온도와 낮은 시간으로 개선. +산화 분위기에서 이온 재분포고온에서 산화 진행 시 발생. 특히 Si 와 SiO2 경계면에서 Vt의 심각한 영향을 줌(Dopant의 Dose 가 변화하는 부분이 Channel 영역이기 때문)B(..

Annealing (For Damaging Curing, Activation)Ion Implantation 로 손상(Lattice Damage/Disorder)된 것을 정상으로 되돌리는 공정입니다. (필수!!!!!!!)손상된 부분의 회복(결정성 회복: Amorphous->Single Crystal)절연 상태에서 도전 상태로 변환 (전기적 특성 형성, 이온 활성화)충격으로 튕겨 나간 Dopant를 복귀시켜 기판 Si와 결합 (공유결합 복원) 온도 높을수록 시간 짧을수록 Leakage 감소, Doping Profile: Annealing 이후, Furnace가 우수. 종류1 Furnace: 장시간. 확산 깊이가 크고 넓어 미세화에 부적합. 낮은 온도(500~1200도), batch 구조 (Throughput..