반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

Dry Etching(건식 식각) = Plasma Etching(플라즈마 식각)장점 불량이 적음=수율이 높음. 비등방성 식각 가능-> 미세공정 적합. CD가 상대적으로 작고 조절 용이. (Etch Bias가 작음) 단점 화학 가스의 고에너지 이온을 타격하며 깎는 방식으로 기판 손상 누적. Selectivity가 낮음. 비쌈. 공정이 복잡함고진공 상태- Throughput이 낮음 (Batch구조가 아니기 때문). Plasma: 전자, 중성원자. Radical(반응성 물질, 중성), 이온 등으로 이루어진 이온화 기체. 제4의 상태라고도 불림. 고온 또는 전기장으로 형성. 전체로 보면 중성, 부분적으로 전기적 성질을 가지는 준중성 상태(Quasi-neutral), Gas는 7족원소로 이루어진 CF4등 이용 +..

Wet Etching(습식 식각)장점: 화학 물질(Etchant)을 이용해 깎는 방식으로 생산성 매우 높음, Selectivity가 우수. 저렴. 일괄처리(Batch, 대량처리)가 가능. Diffusion을 이용하기 때문에 표면이 매끄러움. 단점: 등방성 식각으로 컨트롤이 어려움. Undercut이 쉽게 발생해 미세공정에 부적합. CD 조정 어려움. Uniformity가 낮음(공정 조건 최적화 필요.) 용액을 사용하다 보니 Wafer 오염 발생 가능성. 특징: 열적 산화공정이나 Epitaxial 성장 전 Cleaning 공정에서 핵심적으로 사용. 식각 경사면이 높을수록, 즉, 수직일수록 원하는 Profile에 가깝게 식각 가능. Agitation(교반): Uniformity와 Etch Rate를 높이기 ..

Etching Progress Photolithography 공정을 통해 만들어진 PR Pattern을 바탕으로 PR이 없는 하부 기판(주로 산화막)을 선택적으로 깎아내는 공정. Photo와 Etching을 반복해 Pattern을 적층. Cleaning 및 Ashing 공정 용이나 Metallization 공정을 위해 식각하기도 함 (Dielectric).진행 전 Scum을 제거하기 위해 Ashing(Descum) 진행(O2이용) 1.   Etching 용어-Etch Bias: Photo 공정을 통해 형성된 Pattern(Wb)과 Etching 공정을 통해 형성된 Pattern(Wa)의 차이=선폭(CD Size) 변화량. Etch Bias=Wb-Wa, Mask의 패턴과 Wafer위의 패턴을 비교해 잃어버..