반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

CMP를 사용하는 이유- Global Planarization, STI/Damascene, Buffering CMP미세화로인한 Pattern Density 증가 / Pitch 감소 (VLSI, ULSI 등 고집적화)RC Delay 개선에 따른 Metal Thickness 증가. Step Coverage 개선이 필요,Metal Layer 증가로 인한 Hill, Valley 발생. Photo에서 DOF의 개선 필요. 잔류물 발생, Photo 공정 중 난반사 원인으로 패턴 붕괴등등... 1. PlanarizationW Plug, IMD, ILD에 사용. Metal Layer의 엄격한 패턴 형성이 필요 (미세화 이슈)또한, Defocusing 이슈와 Metal Layer의 Uniformity 해결 가능. 2. ..

산화막을 사용하는 이유는 크게 3가지로 나눌 수 있습니다.  1)소자와 소자를 나누기 위해(격리, Isolation)-LOCOS (Local Oxidation of Silicon) 소자 양쪽에 산화 공정을 통해 Isolation, 평평하지 않고 소자영역을 침범하기 때문에 미세화에 부적합+Bird`s Beak 현상: 새의 부리처럼 가장자리는 조금 형성되고 가운데 부분은 두껍게 형성되는 현상. 이로 인해 Vth가 증가하게 됨. Gate Length가 늘어났기 때문에 더 많은 전압을 가해줘야 함.-> 실리콘을 조금 Etching해 튀어나오는 부분을 최소화할 수 있음-STI(Shallow Trench Isolation=얕고 넓게) Etching 공정을 통해 Isolation 할 부분을 미리 식각 후 산화막을 증..