반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

CMP를 사용하는 이유- Global Planarization, STI/Damascene, Buffering CMP미세화로인한 Pattern Density 증가 / Pitch 감소 (VLSI, ULSI 등 고집적화)RC Delay 개선에 따른 Metal Thickness 증가. Step Coverage 개선이 필요,Metal Layer 증가로 인한 Hill, Valley 발생. Photo에서 DOF의 개선 필요. 잔류물 발생, Photo 공정 중 난반사 원인으로 패턴 붕괴등등... 1. PlanarizationW Plug, IMD, ILD에 사용. Metal Layer의 엄격한 패턴 형성이 필요 (미세화 이슈)또한, Defocusing 이슈와 Metal Layer의 Uniformity 해결 가능. 2. ..

CMP (Chemical Mechanical Polishing) 물리적, 화학적으로 평탄화를 하는 공정. - CMP 공정의 Module1. Polishing Module.-Platen: Pad 회전                -Wafer Carrier: Wafer Loading. Motor에 의해 회전하면서 CMP 진행, Wafer 표면이 아래로 가도록 해야 함.-Slurry: 소모품 1. 크기는 약 0.1μm, Oxide용, Metal용으로 나뉨Wafer Film 표면이 연마하기 쉽도록 Soft한 형태로 만들어주는 Chemical 반응을 일으키는 물질.Agglomerate(덩어리)가 되면 Scratch 가 발생할 수 있어 교반(휘저어 줌)으로 상태유지 필요.Abrasive(기계적 반응을 하는 물질, S..