반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

초미세공정이 되면서 멀티 패터닝 공정으로도 더이상 효율이 나오지 않음 => 새로운 광원의 활용!!! -EUV: 13.5nm 1. 장점: Scaling Down의 끝판왕- 단파장의 고에너지 광원. 초미세 공정이 가능 (10nm미만 공정 가능). 기존 공정보다 적은 횟수의 공정 단계로 패터닝이 가능- QPT 대체 기술. Mask 제작 비용 감소2. 단점: 빛 흡수 이슈 해결 필요(주위 설비, Mask, Lens, 산소와 이산화탄소 등에 흡수) ->진공 상태, 빛의 효율이 낮아 생산성 낮음, 양산 어려움. 공정 난이도가 매우 높고, 비싸고, 느림. 3. 특징: EUV Mask는 일반 Mask와 달리 반사형 렌즈와 거울 이용. 반사율을 위한 다층 구성. (반사각 중요!), 4. 광원 형성플라즈마를 발생시켜 광원..

이전단계: https://programmer-coldbrew.tistory.com/15 [포토 공정] 포토공정. 패턴 형성 첫번째 과정 - HMDS 도포, PR Coating, Soft BakePhotolithography Progress +++ 공정 조건: Clean Room(100/ft3 이하의 청결도) + Yellow Light(영향이 제일 적은 광원) 1.   HMDS 도포(Wafer Priming) (HMDS-hexa methy ldi sil azane: 6 CH3 2 Si NH)친수성인 Wafer를 소수성으로 바programmer-coldbrew.tistory.comhttps://programmer-coldbrew.tistory.com/16 [포토 공정] 포토공정. 패턴 형성 첫번째 과정 - ..

이전 단계: https://programmer-coldbrew.tistory.com/15 [포토 공정] 포토공정. 패턴 형성 첫번째 과정 - HMDS 도포, PR Coating, Soft BakePhotolithography Progress +++ 공정 조건: Clean Room(100/ft3 이하의 청결도) + Yellow Light(영향이 제일 적은 광원) 1.   HMDS 도포(Wafer Priming) (HMDS-hexa methy ldi sil azane: 6 CH3 2 Si NH)친수성인 Wafer를 소수성으로 바programmer-coldbrew.tistory.com 4.   Alignment & ExposureAlignment: Mask의 위치를 정확하게 두는 과정Alignment Erro..

Photolithography Progress +++ 공정 조건: Clean Room(100/ft3 이하의 청결도) + Yellow Light(영향이 제일 적은 광원) 1.   HMDS 도포(Wafer Priming) (HMDS-hexa methy ldi sil azane: 6 CH3 2 Si NH)친수성인 Wafer를 소수성으로 바꾸기 위한 과정(친수성 Contact Angle > 소수성)기체상태인 HMDS를 N2 가스를 이용해 도포. 접착력 증가, 부족할 시 Pattern 붕괴 가능성. +BARC(Bottom Anti-Reflective Coating): Photolithography 공정 전에 진행. (주로 SiON)Profile 상 단차가 존재할 때 빛의 경로와 양이 달라져 Standing Wav..