반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

Chemical Vapor Deposition (CVD): 화학기상증착법, 가스의 화학반응을 이용. 주로 기체형태. 모든 형태의 증착에서 사용되는 방법. 장점 상대적 저렴, 품질 우수, 도포성 우수, Step coverage 좋음, 접착력 우수 단점 Chamber진공 이용. 고진공일수록 Mobility 감소, 오염위험 큼, 두께 조절 어려움, Byproduct 독성 중화 비용 소모. 고온 공정 진행 과정 기체(반응가스, 전구체)가 Chamber 내부로 주입되면 대류와 확산을 통해 Target 표면으로 이동한 후 흡착. 이후 흡착된 기체는 표면확산이 일어나 전체로 이동. 이후 기체와 표면사이에서 화학 반응 발생. 반응되어 나온 부산물은 기체 형태로 확산되어 빠져나감.++Surface Reaction Rat..

Physical Vapor Deposition (PVD): 물리기상증착법. 주로 금속 증착(Silicide), 장점No Chemical (오염이 적음), 고품질, 안전,단점 MFP가 길고 직진성이 강해 낮은 Step Coverage. 비쌈, 고진공 종류Thermal Evaporation: Boat로 불리는 판 위에 올려놓고 열을 가해 증착물질을 기화시켜 기판에 붙이는 방법. 진공 관 안에서 진행. 간단하고 여러 금속 가능E-beam Evaporation: Thermal과 유사. 보트를 가열하는 것 대신 전자빔(고에너지)을 이용해 증착물질을 가열해 기화시키는 방법. 간단하고 여러 금속 가능(녹는점이 높은 것)Evaporation의 경우 느리고 기판과의 접착성이 낮고 Uniformity도 낮음Sputteri..

Deposition박막 증착 공정, 박막(Thin Film)이란 특정한 목적을 위해 추가하는 1 μm이하의 얇은 층. As Deposition: 박막을 최초로 증착한 상태  용어Quality: 전기적 물리적 특성의 품질 Thickness Uniformity: Wafer의 균일도, Wafer-to-Wafer 균일도 Step Coverage: 단차에서 일정한 두께를 유지하는지 여부. (산화막 공정에서도 중요)기준이 되는 박막과 증착 된 박막을 비교. 균일도와 연관. 100%에 가까울수록 우수함.나쁠 경우 튀어나오거나 들어간 부분이 발생할 수 있음. 압력에 따라 SC가 낮아지는 지점이 달라짐1. Side SC: 상부와 사이드 두께 비율2. Bottom SC: 상부와 패턴 하부 두께 비율3. Conformali..