반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

Chemical Vapor Deposition (CVD): 화학기상증착법, 가스의 화학반응을 이용. 주로 기체형태. 모든 형태의 증착에서 사용되는 방법. 장점 상대적 저렴, 품질 우수, 도포성 우수, Step coverage 좋음, 접착력 우수 단점 Chamber진공 이용. 고진공일수록 Mobility 감소, 오염위험 큼, 두께 조절 어려움, Byproduct 독성 중화 비용 소모. 고온 공정 진행 과정 기체(반응가스, 전구체)가 Chamber 내부로 주입되면 대류와 확산을 통해 Target 표면으로 이동한 후 흡착. 이후 흡착된 기체는 표면확산이 일어나 전체로 이동. 이후 기체와 표면사이에서 화학 반응 발생. 반응되어 나온 부산물은 기체 형태로 확산되어 빠져나감.++Surface Reaction Rat..

Dry Etching(건식 식각) = Plasma Etching(플라즈마 식각)장점 불량이 적음=수율이 높음. 비등방성 식각 가능-> 미세공정 적합. CD가 상대적으로 작고 조절 용이. (Etch Bias가 작음) 단점 화학 가스의 고에너지 이온을 타격하며 깎는 방식으로 기판 손상 누적. Selectivity가 낮음. 비쌈. 공정이 복잡함고진공 상태- Throughput이 낮음 (Batch구조가 아니기 때문). Plasma: 전자, 중성원자. Radical(반응성 물질, 중성), 이온 등으로 이루어진 이온화 기체. 제4의 상태라고도 불림. 고온 또는 전기장으로 형성. 전체로 보면 중성, 부분적으로 전기적 성질을 가지는 준중성 상태(Quasi-neutral), Gas는 7족원소로 이루어진 CF4등 이용 +..