반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

1.   금속의 조건 Si(기판)과 부착성이 좋아야 함. 전기 저항이 낮아야 함(배선의 역할), 열과 화학적으로 안정적이어야 함. 패턴 형성이 쉽게 이루어져야 함. 오래 사용할 수 있도록 신뢰성이 높아야 함. 고가의 재료 사용하기 어려움 2.   Al과 Cu두 공정 모두 Barrier 필요.  -Barrier: Metal과 Si간 확산 방지(접착성 증가), Void가 발생해도 전기적 역할을 할 수 있도록 전자의 경로 역할. 주로 Ti/TiN 사용. But 저항 증가Al(알루미늄): 일반적으로 사용. RIE 방법을 이용. 저렴, 전기전도도 우수, 증착이 쉽고 빠름, 접착력 우수(Ohmic), Photo와 Etching 공정이 쉬움, 자연 산화막 제거. Oxide 층으로 확산하지 않음-단점1) Junctio..

Silicide FEOL(Front End Of Line, Active 영역 형성) 후 BEOL(Back End Of Line, 배선과 절연막 형성)을 진행.FEOL에서 형성한 Gate, Source, Drain(Tr 단자)은 Metal과 Silicon의 접합이기 때문에 Schottky 성질을 나타내 Tr의 역할을 해줄 수 없음. 즉, 면 저항(Rs)이 증가(설계한 소자의 Spec을 충족하지 못함.) 이를 위해 Silicide를 진행하며 Silicide는 BEOL의 첫 단계.목적은 접합을 Ohmic으로 변화(Barrier를 낮추기 위해). (Contact Resistance 감소!)접착력(Adhesion)을 향상을 위해 기판의 Si를 기반으로 형성. (CoSi2, TiSi2 등, Ti는 절연막인 SiO2..