반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

산화막을 사용하는 이유는 크게 3가지로 나눌 수 있습니다.  1)소자와 소자를 나누기 위해(격리, Isolation)-LOCOS (Local Oxidation of Silicon) 소자 양쪽에 산화 공정을 통해 Isolation, 평평하지 않고 소자영역을 침범하기 때문에 미세화에 부적합+Bird`s Beak 현상: 새의 부리처럼 가장자리는 조금 형성되고 가운데 부분은 두껍게 형성되는 현상. 이로 인해 Vth가 증가하게 됨. Gate Length가 늘어났기 때문에 더 많은 전압을 가해줘야 함.-> 실리콘을 조금 Etching해 튀어나오는 부분을 최소화할 수 있음-STI(Shallow Trench Isolation=얕고 넓게) Etching 공정을 통해 Isolation 할 부분을 미리 식각 후 산화막을 증..

산화막 증착 공정 - Oxidation Progress 산화막 증착 공정은 Wafer위에 산화막(SiO2)을 형성하는 공정입니다.산화막은 Si 기판 표면을 보호하고, 절연체(Insulator) 역할을 합니다.산화막은 매우 우수한 전기 절연성을 가지며, 3.9의 유전상수, 1.46의 굴절률, 2.18(Wet)~2.27(Dry)g/cm3의 밀도를 가집니다. 기판보다 낮은 열팽창계수를 가지고 있어 이후 공정 과정에서 Compressive Stress가 발생할 수 있습니다. 산화막 증착 종정은 산소 압력이 강할수록, 온도가 높을수록(고에너지) 성장속도가 빨라지고,도핑 농도가 높고, 오랜 시간 공정을 진행 할수록 두께가 두꺼워집니다. Wafer에 따라 산화막 증착 공정의 특징이 달라지는데요.100은 안정하나 11..