CMP를 사용하는 이유- Global Planarization, STI/Damascene, Buffering CMP미세화로인한 Pattern Density 증가 / Pitch 감소 (VLSI, ULSI 등 고집적화)RC Delay 개선에 따른 Metal Thickness 증가. Step Coverage 개선이 필요,Metal Layer 증가로 인한 Hill, Valley 발생. Photo에서 DOF의 개선 필요. 잔류물 발생, Photo 공정 중 난반사 원인으로 패턴 붕괴등등... 1. PlanarizationW Plug, IMD, ILD에 사용. Metal Layer의 엄격한 패턴 형성이 필요 (미세화 이슈)또한, Defocusing 이슈와 Metal Layer의 Uniformity 해결 가능. 2. ..
