반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

4 Point Probe(Blanket Wafer): 간격이 일정한 Probe tip 4개를 Wafer에 Contact해 일정 전류를 Forcing 해 Voltage Drop을 측정 (Rs)소자의 비저항 값은 고정이기 때문에 t값(두께)를 알 수 있음Thermo WaveImplant된 영역은 Damage 때문에 반사율이 차이가 생기기 때문에 이를 측정함. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) = Surface Negative Ionization 양이온이 부딪치기 때문에 음 성질이 튀어나옴, 매우 정밀, Ultra High Vacuum 필요.Depth Dopant Profile, Dopant Concentration 측정, 성분 분석, ppb단위까지 측정가능. Primary..

Annealing에서 발생하는 Defect+TED (Transient Enhanced Diffusion)Furnace Annealing을 통해 불필요 Dopant Diffusion과 Defect Cluster 형성, 원하지 않는 이온 분포로 Activation감소, 수율 저하, 집적도 악영향저온 공정은 손상을 회복하는데 시간이 오래 소요. Si의 점 결함에 의해 Dopant가 과도하게 확산되어서 Junction Depth가 깊어짐 (Leakage). – RTA, Laser 등 더 높은 온도와 낮은 시간으로 개선. +산화 분위기에서 이온 재분포고온에서 산화 진행 시 발생. 특히 Si 와 SiO2 경계면에서 Vt의 심각한 영향을 줌(Dopant의 Dose 가 변화하는 부분이 Channel 영역이기 때문)B(..

Annealing (For Damaging Curing, Activation)Ion Implantation 로 손상(Lattice Damage/Disorder)된 것을 정상으로 되돌리는 공정입니다. (필수!!!!!!!)손상된 부분의 회복(결정성 회복: Amorphous->Single Crystal)절연 상태에서 도전 상태로 변환 (전기적 특성 형성, 이온 활성화)충격으로 튕겨 나간 Dopant를 복귀시켜 기판 Si와 결합 (공유결합 복원) 온도 높을수록 시간 짧을수록 Leakage 감소, Doping Profile: Annealing 이후, Furnace가 우수. 종류1 Furnace: 장시간. 확산 깊이가 크고 넓어 미세화에 부적합. 낮은 온도(500~1200도), batch 구조 (Throughput..

진공상태에서 진행 양과 깊이 및 농도를 조절 가능해 소형화(미세화)가 가능합니다.이온이 방향성을 가져 수직적인 Profile이 가능합니다. (확산 적음) 생산성은 낮으나 Particle 이슈를 개선해 수율 향상. Annealing 공정이 필수. 가벼운 원소로 주입할수록 깊게 주입됩니다. (원자랑 부딪치면서 막히기 때문)   - B의 경우 너무 가벼워 BF2+ 형태로 주입저온공정(Heat Budget 감소)입니다.- Heat Budget: Wafer가 많은 공정을 거치며 받은 Heat 총량을 의미합니다.  단점으로는 공정이 복잡하고, 비싼 공정이며, 독성 Gas 문제와 고전압 등 안전문제가 있습니다. 이온 주입기의 구조와 역할1. Ion Source: Filament를 가열해 만들어 낸 Hot Carrie..