Sims 2

[측정 장비] SEM, TEM, XPS, FIB, SIMS

SEM (Scanning Electron Microscope): 주사형 전자현미경, 파괴분석, 해상도 0.005μm 약 80만 배 배율 고진공, 저배율도 가능 전자총으로 전자를 생성하고, Hot Filament로 전자를 가속시켜 Sample에 입사(1차 이온). 렌즈를 통해 전자 집속 (Condenser-전자빔을 모아 줌, Objective-Sample에 잘 집속 되도록 빔의 크기를 조절함) Sample에서 반응해 튀어나오는 Secondary Electron(2차 전자), Back Scattered Electron(후방산란전자)을 검출함. 3D 구조(표면, 단면, 두께 구조, 입자의 형상 크기 종류 파악). 전자의 양에 따라 명암이 구분되어 파악 가능. 가속 전압이 높을수록 분해능 성질이 증가, 내부 정..

[이온 주입 공정] 이온 주입 공정을 통해 형성된 확산층 평가

4 Point Probe(Blanket Wafer): 간격이 일정한 Probe tip 4개를 Wafer에 Contact해 일정 전류를 Forcing 해 Voltage Drop을 측정 (Rs)소자의 비저항 값은 고정이기 때문에 t값(두께)를 알 수 있음Thermo WaveImplant된 영역은 Damage 때문에 반사율이 차이가 생기기 때문에 이를 측정함. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) = Surface Negative Ionization 양이온이 부딪치기 때문에 음 성질이 튀어나옴, 매우 정밀, Ultra High Vacuum 필요.Depth Dopant Profile, Dopant Concentration 측정, 성분 분석, ppb단위까지 측정가능. Primary..