High K Metal Gate (HKMG) (Low K: 전하를 잡아 두는 힘이 약해 배선 공정 Short 방지, RC Delay 방지)Device의 미세화에 따라 Gate Length가 짧아지면서 수평방향의 전기장이 너무 강해 수직적인 방향의 전기장(Gate가 만드는)이 약해짐.이를 위해 산화막의 두께를 줄여 Cox(Cap)를 키워야 함->이미 너무 작은 값을 사용해 한계(Gate Leakage 발생)=>유전율이 높은 HfO2를 사용하게 되었지만 Vth가 증가하고 전자의 Mobility가 감소하는 단점 발생. 또한, Poly Si와 High K 산화막은 저항이 높아지고 Oxide Cap을 감소시킴. 이를 위해 Poly Si 대신 Metal을 Gate로 사용해 Depletion 영역을 없애 주어 Cap..
