산화막을 사용하는 이유는 크게 3가지로 나눌 수 있습니다. 1)소자와 소자를 나누기 위해(격리, Isolation)-LOCOS (Local Oxidation of Silicon) 소자 양쪽에 산화 공정을 통해 Isolation, 평평하지 않고 소자영역을 침범하기 때문에 미세화에 부적합+Bird`s Beak 현상: 새의 부리처럼 가장자리는 조금 형성되고 가운데 부분은 두껍게 형성되는 현상. 이로 인해 Vth가 증가하게 됨. Gate Length가 늘어났기 때문에 더 많은 전압을 가해줘야 함.-> 실리콘을 조금 Etching해 튀어나오는 부분을 최소화할 수 있음-STI(Shallow Trench Isolation=얕고 넓게) Etching 공정을 통해 Isolation 할 부분을 미리 식각 후 산화막을 증..
