반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

1.Dry 기술 – H2O 제거하는 능력에 좌우됨1) 회전건조 (Spin)원심력으로 제거, Wafer 손상 문제, Watermark 문제, Stress 발생, 정전기력에 의한 Particle, 재오염이를 방지하기 위해 산소를 제거하고 빠른 시간내에 건조가 완료되도록 함.2) IPA Vapor 건조IPA가 끓고 있는 Bath에 Wafer를 넣어 IPA와 DIW의 치환에 의해 건조. Particle 제어가 쉬움. 발화가능성이 있어 주의해야 함.3) Marangoni건조소량의 IPA Vapor 이용, Wafer를 들어올리며 발생하는 표면 장력과 상부에서 IPA와 N2로 인한 압력에 의해 제거4) Rotagini 건조Spin + Marangoni => 건조 효율 극대화 2. Dry장비 Defect1) Water..

1. Cleaning 장비 1. Wet- Batch: 약 50매씩 모아서 진행, 폐수가 적게 나옴 (용액 사용량이 적음), Defect문제, Cross-Contamination 문제1) Dip: 화학용액 또는 DI Water에 담겨있는 Bath에 담궈 진행. Megasonic 추가 가능 (Wafer 손상 주의)다양한 화학 용액이 사용 가능하며 생산량이 매우 높지만 장비의 크기가 크고 Cross-Contamination 발생 (Metal도 존재), 낮은 균일도2) Spray: Wafer에 화학용액을 분사함. 상대적으로 Cross-Contamination적음작은 장비 크기에 시간이 적게 들지만, Particle이슈 제어가 어렵고 Watermark가 잘 발생하며 Wafer가 손상될 수 있음.++ Rinse: ..

1. Wet Cleaning DI Water 세정에 용이하고, 다양한 화학 용액을 사용 가능하며 Selectivity가 매우 우수. Dry Cleaning 대비 저렴하고, Particle 제거에 효과적하지만, 세정의 건조가 느려 잔유물이 남을 수 있으며, 물질의 독성이 위험하고, 용액을 폐기하는 비용이 추가.진공상태 유지가 어렵기 때문에 2차 오염 문제 발생 가능. 공정이 미세화 됨에 따라 Dry를 사용하는 추세. (아직은 Wet이 메인)++ RCA (Radio Corporation of America) Cleaning: 표준 세정법1) SC-1 (APM, Ammonium Peroxide Mixture) (NH4OH : H2O2 : H2O)Lift Off를 통해 파티클을 이격 시킨 뒤 재흡착을 방지하기 ..

Cleaning – 세정 공정 Cleaning 공정 공간의 청결도 – Class(평방미터당(피트 세제곱) Particle 개수)를 1~10사이로 유지 필요.Wafer Cleaning 후 Oven에서 열을 가해 Wafer 표면에 H2O 제거(Dehydration Baking=Singe, 400도씨 이상)Wafer 위 불순물, 유기물 오염, 표면의 피막 등의 오염을 물리/화학적인 방법으로 제거하는 공정전체 30~40% 비중으로 중요하며 이물에 의한 Fail에 연관된 중요한 공정궁극적인 목적은 수율 향상이며 제품의 성능, 신뢰도에 큰 영향을 미침, 반도체 패턴을 명확하게 해줌소자가 미세화 됨에 따라 작은 Defect도 Critical 해졌기 때문에 Cleaning이 중요해짐         1. 용어DI Wat..