[세정 공정] 건조 과정

1.Dry 기술 – H2O 제거하는 능력에 좌우됨

1) 회전건조 (Spin)

원심력으로 제거, Wafer 손상 문제, Watermark 문제, Stress 발생, 정전기력에 의한 Particle, 재오염

이를 방지하기 위해 산소를 제거하고 빠른 시간내에 건조가 완료되도록 함.

2) IPA Vapor 건조

IPA가 끓고 있는 Bath에 Wafer를 넣어 IPA와 DIW의 치환에 의해 건조. Particle 제어가 쉬움. 발화가능성이 있어 주의해야 함.

IPA Vapor  건조

3) Marangoni건조

소량의 IPA Vapor 이용, Wafer를 들어올리며 발생하는 표면 장력과

상부에서 IPA와 N2로 인한 압력에 의해 제거

Marangoni 건조

4) Rotagini 건조

Spin + Marangoni => 건조 효율 극대화

 

2. Dry장비 Defect

1) Watermark

Watermark

2) Pattern Leaning: AR증가로 Stress가 증가하면서 패턴이 붕괴되는 것

Pattern Leaning