산화막 증착 공정 - Oxidation Progress 산화막 증착 공정은 Wafer위에 산화막(SiO2)을 형성하는 공정입니다.산화막은 Si 기판 표면을 보호하고, 절연체(Insulator) 역할을 합니다.산화막은 매우 우수한 전기 절연성을 가지며, 3.9의 유전상수, 1.46의 굴절률, 2.18(Wet)~2.27(Dry)g/cm3의 밀도를 가집니다. 기판보다 낮은 열팽창계수를 가지고 있어 이후 공정 과정에서 Compressive Stress가 발생할 수 있습니다. 산화막 증착 종정은 산소 압력이 강할수록, 온도가 높을수록(고에너지) 성장속도가 빨라지고,도핑 농도가 높고, 오랜 시간 공정을 진행 할수록 두께가 두꺼워집니다. Wafer에 따라 산화막 증착 공정의 특징이 달라지는데요.100은 안정하나 11..
