초미세공정이 되면서 멀티 패터닝 공정으로도 더이상 효율이 나오지 않음 => 새로운 광원의 활용!!! -EUV: 13.5nm 1. 장점: Scaling Down의 끝판왕- 단파장의 고에너지 광원. 초미세 공정이 가능 (10nm미만 공정 가능). 기존 공정보다 적은 횟수의 공정 단계로 패터닝이 가능- QPT 대체 기술. Mask 제작 비용 감소2. 단점: 빛 흡수 이슈 해결 필요(주위 설비, Mask, Lens, 산소와 이산화탄소 등에 흡수) ->진공 상태, 빛의 효율이 낮아 생산성 낮음, 양산 어려움. 공정 난이도가 매우 높고, 비싸고, 느림. 3. 특징: EUV Mask는 일반 Mask와 달리 반사형 렌즈와 거울 이용. 반사율을 위한 다층 구성. (반사각 중요!), 4. 광원 형성플라즈마를 발생시켜 광원..
