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[Energy Band] Energy Band와 Band Gap

반도체 Energy Band, Band Gap에너지 준위(Energy Level): 원자핵의 주위를 회전하고 있는 전자가 가질 수 있는 에너지 순위, 원자핵에서부터 전자가 멀리 있을수록 큼구성가전자대: Valance Band, 최외각 전자가 채워져 있는 아랫부분전도대: Conduction Band, 최외각 전자가 에너지를 얻어 올라갈 수 있는 전자가 채워져 있지 않은 윗부분에너지 갭(Band Gap): 전도대와 가전자대 사이를 의미 (단위 eV) 준위에 따른 구분1)부도체, 절연체(Insulator): Energy Gap이 3eV이상, Valence Band의 전자가 Conduction Band로 올라가지 못함.  2)반도체(Semi-Conductor): Energy Gap이 0.1eV~3eV, 평소엔 ..

반도체/Wafer 및 소자(Device) 기초 2024.08.29
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평탄화, cleaning, 세정공정, mbcfet, 증착공정, Deposition, Annealing, STI, ald, Sims, 산화공정, cmp, 이온주입공정, bspdn, 금속배선공정, 이온주입, sio2, ionimplantation, react, 산화막,

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