반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

  • 프로그래밍-Front
  • 프로그래밍-Back
  • 프로그래밍-서버
  • 반도체

tmah 1

[식각 공정] 식각 공정 패턴 형성 두번째 과정 - 습식 식각, Wet Etching

Wet Etching(습식 식각)장점: 화학 물질(Etchant)을 이용해 깎는 방식으로 생산성 매우 높음, Selectivity가 우수. 저렴. 일괄처리(Batch, 대량처리)가 가능. Diffusion을 이용하기 때문에 표면이 매끄러움. 단점: 등방성 식각으로 컨트롤이 어려움. Undercut이 쉽게 발생해 미세공정에 부적합. CD 조정 어려움. Uniformity가 낮음(공정 조건 최적화 필요.) 용액을 사용하다 보니 Wafer 오염 발생 가능성. 특징: 열적 산화공정이나 Epitaxial 성장 전 Cleaning 공정에서 핵심적으로 사용. 식각 경사면이 높을수록, 즉, 수직일수록 원하는 Profile에 가깝게 식각 가능. Agitation(교반): Uniformity와 Etch Rate를 높이기 ..

반도체/식각 공정 (에칭 공정, Etching) 2024.08.29
이전
1
다음
더보기
프로필사진

반도체 버린 프로그래머 새내기 블로그

공부한 내용이 비주기적으로 올라옵니다!

  • 분류 전체보기 (46)
    • 프로그래밍 소프트웨어 정보 (2)
    • 프로그래밍-서버 (0)
      • AWS (0)
    • 프로그래밍-Back (1)
      • Java (1)
      • SQL (0)
    • 프로그래밍-Front (3)
      • React (3)
      • JQuery (0)
    • 앱 개발 (0)
    • 반도체 (40)
      • Wafer 및 소자(Device) 기초 (13)
      • 산화막 증착 (Oxidation) (3)
      • CMP (2)
      • 이온 주입 (Ion Implantation) (6)
      • 노광 공정 (포토 공정, Photolithogra.. (4)
      • 식각 공정 (에칭 공정, Etching) (3)
      • 증착 공정 (Deposition) (3)
      • 금속 배선 공정 (Metallization) (2)
      • 세정 공정 (Cleaning) (4)

Tag

세정공정, mbcfet, react, STI, 산화공정, ionimplantation, Sims, sio2, 평탄화, Annealing, 산화막, ald, 증착공정, cleaning, cmp, bspdn, 이온주입공정, 이온주입, Deposition, 금속배선공정,

최근글과 인기글

  • 최근글
  • 인기글

최근댓글

공지사항

페이스북 트위터 플러그인

  • Facebook
  • Twitter

Archives

Calendar

«   2025/08   »
일 월 화 수 목 금 토
1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
31

방문자수Total

  • Today :
  • Yesterday :

Copyright © Kakao Corp. All rights reserved.

티스토리툴바