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[이온 주입 공정] 이온 주입 방법 1 - Thermal Diffusion

열 확산 방법. 단점으로는 깊어질수록 도핑이 어려워 (깊이 조절 어려움) 미세화에 부적합한 방법이라는 것이 있습니다. (등방성). 또한, Leakage 발생 가능성이 높습니다.도핑 Gas가 많을수록 농도가 증가하고. Throughput이 상대적으로 좋습니다. (Batch 구조 – 고온), Single Type의 Chamber도 사용하기도 합니다. (비교적 저온)공정 방법1) Pre-deposition:Dopant가 포함된 Gas가 기판 표면에 주입하는 단계. 얇은 박막 형성 – Dose Control (표면에 계속 Gas 주입: 표면 농도>기판 농도)2) Drive In: 표면 Dopant를 열확산을 통해 기판 내부로 주입하는 단계. 원하는 깊이를 조절(=재분포) – Profile Control (Gas..

반도체/이온 주입 (Ion Implantation) 2024.08.26
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STI, sio2, 증착공정, 이온주입공정, 금속배선공정, ald, 평탄화, cmp, bspdn, 산화공정, Annealing, ionimplantation, Sims, Deposition, 이온주입, mbcfet, react, cleaning, 산화막, 세정공정,

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