진공상태에서 진행 양과 깊이 및 농도를 조절 가능해 소형화(미세화)가 가능합니다.이온이 방향성을 가져 수직적인 Profile이 가능합니다. (확산 적음) 생산성은 낮으나 Particle 이슈를 개선해 수율 향상. Annealing 공정이 필수. 가벼운 원소로 주입할수록 깊게 주입됩니다. (원자랑 부딪치면서 막히기 때문) - B의 경우 너무 가벼워 BF2+ 형태로 주입저온공정(Heat Budget 감소)입니다.- Heat Budget: Wafer가 많은 공정을 거치며 받은 Heat 총량을 의미합니다. 단점으로는 공정이 복잡하고, 비싼 공정이며, 독성 Gas 문제와 고전압 등 안전문제가 있습니다. 이온 주입기의 구조와 역할1. Ion Source: Filament를 가열해 만들어 낸 Hot Carrie..
