Ohmic 접합: 옴의 법칙 (V=IR)을 따르는 접합, 선형 접합Schottky 접합: Potential Barrier인 Schottky가 형성되어 Carrier 이동에 장벽이 있는 것. 이는 특정 전압 이상일 때만 전류가 흐르게 되는 Profile을 가짐. 특히, Metal 과 Semiconductor간의 접합에서 발생. (Like PN Diode)=> MOSFET에서 Gate를 형성할 때 Si 기판과 Metal Gate 간의 접합을 Schottky에서 Ohmic으로 바꿔주기 위해 Salicide 공정을 진행1. 진공 준위: 전자가 이동하면서 물질에서 완전히 벗어나기까지 필요한 에너지2. 일함수(∅): 진공 준위와 물질의 페르미 레벨의 차이. 고체의 표면에서 Electron 1개를 빼내는데 필요한 힘..
