Dry Etching(건식 식각) = Plasma Etching(플라즈마 식각)장점 불량이 적음=수율이 높음. 비등방성 식각 가능-> 미세공정 적합. CD가 상대적으로 작고 조절 용이. (Etch Bias가 작음) 단점 화학 가스의 고에너지 이온을 타격하며 깎는 방식으로 기판 손상 누적. Selectivity가 낮음. 비쌈. 공정이 복잡함고진공 상태- Throughput이 낮음 (Batch구조가 아니기 때문). Plasma: 전자, 중성원자. Radical(반응성 물질, 중성), 이온 등으로 이루어진 이온화 기체. 제4의 상태라고도 불림. 고온 또는 전기장으로 형성. 전체로 보면 중성, 부분적으로 전기적 성질을 가지는 준중성 상태(Quasi-neutral), Gas는 7족원소로 이루어진 CF4등 이용 +..
