Ion Implantation-이온 주입Wafer가 반도체적 특성을 가질 수 있도록 이온에 에너지를 주입해 Wafer 속으로 넣어주는 공정입니다.공정 Control을 위한 표면 Modifying을 하고, Threshold Voltage Modulation이 가능합니다.단점으로는 공정이 복잡하고 비싸고 위험합니다. 종류Carrier는 Electron과 Hole이 있으며, 주요 Carrier를 Majority Carrier, 반대를 Minority Carrier라고 부릅니다.-N Type 반도체: Majority Carrier: Electron, 불순물(Dopant): 5가원소 As(아세닉, 비소), P(포스폰, 인)=Doner 원소-P Type 반도체: Majority Carrier: Hole, 불순물(D..