Annealing (For Damaging Curing, Activation)Ion Implantation 로 손상(Lattice Damage/Disorder)된 것을 정상으로 되돌리는 공정입니다. (필수!!!!!!!)손상된 부분의 회복(결정성 회복: Amorphous->Single Crystal)절연 상태에서 도전 상태로 변환 (전기적 특성 형성, 이온 활성화)충격으로 튕겨 나간 Dopant를 복귀시켜 기판 Si와 결합 (공유결합 복원) 온도 높을수록 시간 짧을수록 Leakage 감소, Doping Profile: Annealing 이후, Furnace가 우수. 종류1 Furnace: 장시간. 확산 깊이가 크고 넓어 미세화에 부적합. 낮은 온도(500~1200도), batch 구조 (Throughput..
