Chemical Vapor Deposition (CVD): 화학기상증착법, 가스의 화학반응을 이용. 주로 기체형태. 모든 형태의 증착에서 사용되는 방법. 장점 상대적 저렴, 품질 우수, 도포성 우수, Step coverage 좋음, 접착력 우수 단점 Chamber진공 이용. 고진공일수록 Mobility 감소, 오염위험 큼, 두께 조절 어려움, Byproduct 독성 중화 비용 소모. 고온 공정 진행 과정 기체(반응가스, 전구체)가 Chamber 내부로 주입되면 대류와 확산을 통해 Target 표면으로 이동한 후 흡착. 이후 흡착된 기체는 표면확산이 일어나 전체로 이동. 이후 기체와 표면사이에서 화학 반응 발생. 반응되어 나온 부산물은 기체 형태로 확산되어 빠져나감.++Surface Reaction Rat..
