어렵고 비싼 초순수층, 기존에 있는 Sub위쪽 방향으로 새로운 층을 생성하는 공정(Sub을 Seed로 생성한다고 생각). 일반 증착 방식보다 결정 격자가 단결정형태로 안정되어 있음. (Single Crystal). 다결정이나 비결정질(화합물)로 형성할 경우 Mobility가 떨어지기 때문(Trap 발생 가능성), Mismatch로 서로에게 반대방향 Stress를 주어 억제=> Compressive, Tensile Stress와 Trap 방지!++Mobility 향상 기술: Strained Si – Hetero의 경우PMOS의 경우 압축응력(Compressive Stress), NMOS의 경우 인장응력(Tensile Stress) 개선 요함. (Mismatch) => 반대 Stress를 형성-> PMOS는..
